レーザーアシストダイボンディング

ファインテック社のレーザーアシストボンディング技術は、高い昇温レートと最高の精度での局所加熱が要求される C2C と C2W アプリケーションで使用されています。特に迅速な加熱速度は、時間の最適化が求められる生産環境下において、酸化効果を低減し、より短いプロセス時間の達成を可能にします。 ウェハレベルでボンディング処理の段階で、チップは一度だけ加熱されます。広範囲な加熱制御とは異なり、レーザーを利用した局所加熱は、熱膨張を回避する為の大きな技術制約を必要としません。

アプリケーションおよび材料に応じて、2つの手法が選択可能です。チップや基板が、レーザーの波長に対しての透過性がある場合(溶融シリカ、サファイアガラスなど)、レーザーのエネルギーは吸収されずに通過し、直接はんだを加熱するために使用されます。不透過性の基板材料(シリコン、ポリシリコン等の GaAs )においては、レーザーのエネルギーを吸収し、接合プロセスに使用される局所加熱に変換されます。

Bonding Technologies for 3D Packaging

プレゼンテーション

レーザーアシストダイボンディング – 要求事項と制限事項及び、メリットとデメリット

VCSEL やレーザーバー等の光電子デバイスを、サブマウントまたは基板上に実装する際には、共晶プロセスを使用することが一般的です。しかしながら、この方法は相対的にある程度の時間を必要とし、結果的に長いサイクル時間での処理となります。 レーザーアシストダイボンディングは、ギ酸や窒素パージを併用し、短時間での処理を可能にする有望な手法です。

レーザーアシストボンディングは、利点がある一方で基板および、チップの材料ならびにチップサイズの点においてある程度の制限があります。 本資料では、一般的なメリットとデメリットならびに要件と制限事項が記載されています。レーザーアシストボンディングをより広い適用範囲で使用可能にするための、問題提起と技術制限を克服する方法を示しています。

この資料は、ベルリンでの Micro Assembly 2016 において、ファインテック社のカルロ・パガーノ博士とヘルマン・モースによって発表されました。

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